p-Kanal-MOSFETs mit 40 V Sperrspannung

摘要

Die weiter ausgebaute Automotive-MOSFET-Familie »OptiMOS P2« von Infineon hat einen Durchlasswider-stand hinunter bis zu 2,4 mΩ und liefert Ströme von 50 A bis zu 180 A. Mit den neuen p-Kanal-Bausteinen mit 40 V Sperrspannung erweitert der Hersteller sein Produktportfolio speziell für alle Arten von Motorsteuerungen mit Brückenkonfigurationen im Auto. Derartige Brückenkonfigurationen erfordern MOSFETs sowohl auf der High-Side als auch der Low-Side. Im Unterschied zu n-Kanal-MOSFETs benötigen p-Kanal-Bausteine keine zusätzliche Ladungspumpe für High-Side-Schal-ter, die Bürsten-Gleichstrommotoren oder bürstenlose 3-Phasen-Motoren treiben, was die Treiberschaltung vereinfacht und somit Kosten spart.