Dünne Wafer machen SiC besser

摘要

Bei Leistungshalbleitern aus Silizium haben sich Dünn-wafer bewährt. Mit dünneren Chips lassen sich sowohl die Verluste reduzieren als auch die entstehende Wärme besser abführen. Ist das aber auch bei Siliziumkarbid möglich? Nun ist eine neue Generation von Schottky- Dioden aus diesem Material vorgestellt worden, die auf der Dünnwafer-Technologie basiert. Neben den oben genannten Vorteilen sinken dadurch auch die kapazitive Ladung und die Flussspannung. Dies kann insgesamt den Systemwirkungsgrad steigern.