Im Rahmen des neuartigen Chipfilm-Konzepts finden die Schaltungsintegrationsprozesse auf einem so genannten Si-Membranwafer statt, auf dem Chip-Membrane zur Vordefinition der Chipdicke durch vertikale Si-Ankerstrukturen mit einem Standard-Bulk-Si-Wafer verbunden sind. Der gesamte Ablauf zur Herstellung ultradünner Chips ist in Abbildung 1 dargestellt. Die Ankeranordnung wird durch implantierte n-Typ-Gebiete auf einen p-Typ-Si-Wafer definiert (Abb. 1a).
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