机译:用于2.4GHz WLAN应用的互补金属氧化物半导体LNA的辅助噪声消除的设计与优化
Thiagarajar College of Engineering India;
Thiagarajar College of Engineering India;
Thiagarajar College of Engineering India;
CMOS integrated circuits; low noise amplifiers; low-power electronics; optimisation; UHF amplifiers; wireless LAN;
机译:在90 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中设计和实现5-6 GHz的1-V变压器磁反馈低噪声放大器(LNA)
机译:90 nm互补金属氧化物半导体中的2.4-10 GHz低噪声注入锁定环压控振荡器
机译:适用于1.8 / 1.9 GHz GSM,2.4 / 4.9 / 5.2 / 5.7 GHz WLAN和5-7 GHz超宽带(UWB)系统应用的同步多波段InGaP-GaAs HBT LNA
机译:专用于短距离通信应用的低压5.8 GHz互补金属氧化物半导体收发器前端芯片设计
机译:使用45 nm技术设计用于蓝牙低功耗应用的2.4 GHz CMOS LNA。
机译:用于生化传感器应用的互补金属氧化物半导体芯片上的硅纳米线场效应晶体管阵列的单片集成
机译:低功耗2.4-GHz接收器前端,具有互补的串联反馈LNA和基于GM-Boosted TIA的电流重复使用的被动下变频器,适用于WSN应用
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。