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机译:制造对非易失性存储设备数据保留的影响
Data I/O Corp;
机译:具有部分底部-富含硅的氮化物结构的氧化硅-氮化物-氧化物-硅-非易失性半导体存储器件的耐久性和数据保留性能的提高
机译:氮化钛非易失性存储器件的电荷存储和可变温度数据保留特性
机译:一种新颖的MONOS非易失性存储设备,可确保10 / sup 7 /擦除/写入周期后的10年数据保留
机译:DC偏置对Sonos非易失性存储器件室温下数据保留的影响
机译:高密度非易失性存储设备的设备设计和过程集成。
机译:受控双极性电荷陷阱机制的非易失性多级数据存储存储设备
机译:栅极绝缘记忆聚合物在低压有机非易失性存储晶体管中具有强分子量效应,具有出色的保留特性
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。