机译:高效和高可靠性应用中增强型GaN HEMT的关键瞬态过程
Gallium nitride; HEMTs; MODFETs; Switches; Logic gates; Inductance; Resistance;
机译:具有LaHfO栅极绝缘子的增强型GaN MIS-HEMT,用于电源应用
机译:采用等离子体氧化技术的90 nm栅极长度增强型AlGaN / GaN HEMT,适用于高频应用
机译:高功率高效GaN HEMT Doherty基站应用放大器
机译:高K栅极电介质耗尽型和增强型GaN MOS-HEMT,用于改善关态泄漏和DIBL,用于电力电子和RF应用
机译:用于高压开关应用的增强型氮化镓基HEMT。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:高效高可靠性应用中增强模式GaN HEMT的临界瞬态过程