Nouvelle approche de modélisation des transistors micro-ondes MESFET et HEMT

摘要

The authors present an analytical model of current drain–source based on the one established by Chalmers. As the precision of parameters is directly bound to the measured maximal value of the transconductance, a precision level of 25 % is obtained. To improve this precision, the combined optimization algorithm with the Chalmers model is elaborated. The results obtained are very satisfactory. For a mathematical function , with three terms in the saturated region, the influence of the temperature represents correctly the drain current for the voltage near a pinch-off voltage.Les auteurs présentent un modèle analytique du courant drain–source basé sur celui établi par Chalmers. La précision des paramètres étant directement liée à la valeur maximale de la transconductance mesurée, une erreur de 25 % est observée sur le courant drain–source. Une combinaison de l'algorithme d'optimisation avec l'algorithme analytique de Chalmers est élaborée pour améliorer ce modèle. Les résultats obtenus sont très satisfaisants. La fonction mathématique , avec trois termes pour la région de saturation, représente correctement le courant drain pour des tensions proches de la tension de pincement.PACS No.: 85.30De