机译:纯电子纳米金属电阻切换随机存取存储器
Univ Penn, Philadelphia, PA 19104 USA;
Univ Massachusetts, Amherst, MA 01003 USA;
MIT, 77 Massachusetts Ave, Cambridge, MA 02139 USA;
Univ Penn, Mat Innovat, Philadelphia, PA 19104 USA;
memory; amorphous; Si; oxide; nitride; metal-insulator transition; electron-phonon interaction; nanostructure;
机译:基于聚合物的非易失性电阻随机存取存储器件制造,具有多级开关和负差分电阻状态
机译:垂直磁随机存取存储器单元中自旋转移扭矩切换的旋转区域 - 产品依赖性的原点
机译:热退火处理对氧化钒薄膜电阻随机存取存储器件的双极切换性能的影响
机译:紫外线对NIO电阻随机存取存储器(RERAM)器件的开关特性的影响
机译:用于存储应用的基于丝的电阻开关RRAM器件
机译:基于SiN的电阻式随机存取存储器中与功率和低电阻状态相关的双极性复位开关转换
机译:垂直磁随机存取存储器单元中自旋转移扭矩切换的旋转区域 - 产品依赖性的原点