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TESTING/ANALYSIS

机译:测试/分析

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摘要

An optical beam failure analysis technique that detects integrated circuit (IC) defects from both the front and the back of the device has reportedly been developed at Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M. The thermally induced voltage alteration/Seebeck effect imaging (TTVA / SEI) technique finds failures as fast or faster than other methods.
机译:据报道,在新墨西哥州桑迪亚国家实验室开发了一种光束故障分析技术,该技术可以检测设备正面和背面的集成电路(IC)缺陷。热感应电压变化/塞贝克效应成像(TTVA / SEI)技术发现故障的速度比其他方法快或快。

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