...
首页> 外文期刊>Asia electronics industry >Samsung Breaks Barriers to 7nm LPP Node Technology
【24h】

Samsung Breaks Barriers to 7nm LPP Node Technology

机译:三星突破了7nm LPP节点技术的壁垒

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Samsung Electronics Co., Ltd. has started wafer production of a 7nm node low power plus (LPP) process technology using extreme ultraviolet (EUV) lithography technology. The actual production of the 7LPP node is a clear testimony to Samsung's successful adoption of EUV technology, paving the road map to 3nm node. The successful migration to 7LPP has a wide range of ramifications, as it enables Samsung and its foundry partners to innovate on its chip architecture to meet the system requirements of 5G mobile communications ecosystems, including artificial intelligence, enterprise and hyperscale datacenter, IoT, automotive, and networking.
机译:三星电子有限公司已经开始使用极紫外(EUV)光刻技术生产7nm节点低功率加(LPP)工艺技术的晶圆。 7LPP节点的实际生产清楚地证明了三星成功采用EUV技术,为3nm节点的发展铺平了道路。成功迁移到7LPP具有广泛的意义,因为它使三星及其代工合作伙伴能够在其芯片架构上进行创新,以满足5G移动通信生态系统的系统要求,包括人工智能,企业和超大规模数据中心,IoT,汽车,和网络。

著录项

  • 来源
    《Asia electronics industry》 |2019年第2期|55-5557|共2页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号