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极紫外光刻; 制程技术; 三星; 台积电; 技术进展; 工艺; EUV; 高通;
机译:光子前沿:极紫外光刻技术:极紫外光刻技术难以缩小芯片特征
机译:激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻
机译:三星实现了7nm和5nm的“X-Cube”3D IC包装
机译:具有EUV的7nm制程技术的增强的可靠性
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机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:ZEp520a和mr-posEBR抗蚀剂的光刻性能 电子束和极紫外光刻
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。
机译:用于极紫外光刻的反射装置,应用于其的极紫外光刻掩模,投影光学系统和光刻设备
机译:高尔夫迪斯尼:高尔夫迪斯尼世界,三星级高尔夫迪斯尼世界和三星高尔夫迪斯尼世界,用于三星级高尔夫,三星高尔夫,RingRing,GoldDisc,GolfBall和Golfrisbee,RingBall高尔夫
机译:用于极紫外或电子束光刻的含金属膜形成组合物,用于极紫外或电子束光刻的含金属膜和图案形成方法
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