机译:在SrTiO_3衬底上制备晶格可调的Ea_(1-xSr)xTiO_3缓冲液
Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Kashiwa 277-8581, Japan;
strain; buffer layer; composition spread;
机译:在Sr_xCa_(1-x)RuO_3缓冲SrTiO_3衬底上生长的BiFeO_3薄膜的电和压电特性
机译:SrTiO_3衬底上SrTiO_3 / SrRuO_3双层膜中SrRuO_3缓冲层中的纳米级Ru晶体的有序阵列
机译:蚀刻各向异性在SRTIO_3(100),SRTIO_3(110)和SRTIO_3(111)衬底上制备独立氧化物微结构的作用
机译:用于微波应用的SRTIO_3和LAALO_3缓冲MgO基板上的Ti-Ba-Ca-Cu-Q薄膜的制造
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:非晶氧化物层与SrTiO_3(110)和SrTiO_3(111)之间的导电界面
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。