机译:SiGe量子阱的低能RBS和SIMS分析
Tech Univ Vienna, Inst Chem Technol & Analyt, A-1060 Vienna, Austria;
secondary ion mass spectrometry; SIMS; low energy Rutherford backscattering; RBS; quantum well; ge-delta-layer;
机译:SiGe量子阱中Ge浓度的定量分析:低能RBS和SIMS测量的比较
机译:低能RBS超薄SiGe量子阱定量分析的局限性
机译:低能RBS对SiGe量子阱中Ge浓度的无损定量分析
机译:Si和SiGe中掺杂物扩散和缺陷的动力学Monte Carlo模拟:SiGe通道量子阱中掺杂物的分析
机译:在Si / Sige的基于谷轨道Qubits的重叠铝栅量子点
机译:低能下D2对C原子自旋轨道非弹性散射的量子行为
机译:siGe / si THz量子级联结构中空穴动力学的自洽能量平衡模拟