机译:X射线散射法表征Sb基异质结构
Thales Res & Technol France, F-91767 Palaiseau, France;
CNRS, CRHEA, F-06560 Valbonne, France;
Alcatel Thales 3 4 Lab, F-91767 Palaiseau, France;
X-ray reflectometry; high resolution X-ray diffractometry; antimonide heterostructures; opto-electronic devices; thickness determination; Fourier-inversion method; non-specular X-ray reflection; ROUGHNESS; SUPERLATTICES; REFLECTOMETRY;
机译:结合X射线散射方法对SiGe和SiGe:C异质结构进行结构表征
机译:X射线散射法表征半导体晶体的研究进展
机译:结构特征性软木样品S2层中纤维素微纤维的小角度X射线散射
机译:具有X射线散射的半导体的详细结构表征
机译:X射线散射外延氧化异质结构的结构表征
机译:时间分辨X射线散射对纳米膜的结构和热表征
机译:X射线反射率,衍射和掠入射小角度X射线散射作为溶胶-凝胶氧化锆薄膜微结构研究的补充方法
机译:用于膜蛋白结构表征的固态核磁共振方法的发展:应用于理解多发性硬化症