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第1章引言
1.1绪论
1.1.1透明导电氧化物薄膜概述
1.1.2氧化铟薄膜(In2O3)概述
1.1.3氧化锡薄膜(SnO2)概述
1.2 AZO薄膜概述
1.2.1 AZO薄膜的国内外研究现状
1.2.2 AZO薄膜的制备方法
1.3氧化锌的特性
1.3.1 ZnO的晶体结构
1.3.2 ZnO薄膜的光学性质
1.3.3 ZnO的电学特性
1.4未掺杂时ZnO的导电机制
1.5掺杂后ZnO的导电机制
1.6透明导电薄膜的研究方向
1.7本课题研究的意义和目的
第2章透明导电薄膜的制备方法简介
2.1磁控溅射法
2.2脉冲激光法
2.3溶胶-凝胶法
2.4喷雾热解法
2.5化学气相沉积法
第3章薄膜的相关理论
3.1伯斯坦-莫斯(Burstein-moss)理论
3.2德鲁德(Drude)理论
3.3薄膜生长理论
3.3.1薄膜生长的模式
3.3.2薄膜的生长过程
3.4薄膜中的缺陷
第4章实验部分
4.1靶材制作
4.2玻璃基片的清洗
4.3溅射设备及主要工艺参数
4.4薄膜试样的结构和性能表征方法
4.4.1薄膜结构的测定
4.4.2电学性能测试
4.4.3光学性能测定
4.4.4中红外反射率测试
4.4.5薄膜成分的测定
第5章工艺参数对薄膜的结构与光电性能的影响
5.1衬底温度对薄膜结构及光电性能的影响
5.2溅射气压对薄膜电学及光学性能的影响
5.3溅射功率对薄膜的光电性能影响
5.4退火时间对薄膜的结构和光电性能的影响
5.5本章小结
第6章缓冲层技术及其应用
6.1缓冲层厚度对薄膜的光电性能的影响
6.1.1 X-ray衍射分析
6.1.2薄膜的光学和电学性能
6.1.3本节小结
6.2缓冲层制备温度对薄膜的结构与性能的影响
6.2.1实验过程
6.2.2 X-ray衍射分析
6.2.3薄膜的红外反射率与透过率分析
6.2.4本节小结
第7章结论
后记
参考文献
致谢
读研究生期间发表的论文
武汉理工大学;