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机译:使用C60 + SIMS进行深度剖析-轰击硅期间的沉积和形貌发展
Natl Inst Stand & Technol, Surface & Microanal Sci Div, Gaithersburg, MD 20899 USA;
Korea Res Inst Stand & Sci, Taejon 305600, South Korea;
fullerene ion source; cluster bombardment; depth profiling; secondary ion mass spectrometer; PRIMARY ION-BEAMS;
机译:硅(100)靶的离子轰击引起的SiO_2和SiO_x的深度分布和浓度百分比
机译:O-2(+)斜向轰击过程中低能SIMS深度剖析硅时的表面粗糙和腐蚀速率变化
机译:O〜+和Si〜+离子轰击引起的硅中乱序的深度分布
机译:铂沉积和离子轰击后硅的电化学行为变化
机译:沉积过程中离子轰击对氢化非晶硅锗薄膜和光伏器件性能的影响。
机译:团簇离子束分子深度分析实验中的能量沉积
机译:过渡金属氧化物对硅的溅射沉积:证明氧气轰击对费米级钉扎的作用