机译:载气压力和流速对HfO2和ZrO2薄膜原子层沉积的影响
Univ Tartu, Inst Phys, EE-51010 Tartu, Estonia;
Univ Tartu, Inst Chem Phys, EE-51013 Tartu, Estonia;
hafnium dioxide; zirconium dioxide; atomic layer deposition; surface reactions; crystal structure; optical properties; HAFNIUM OXIDE-FILMS; ZIRCONIUM TETRACHLORIDE; ELECTRICAL-PROPERTIES; GROWTH-KINETICS; GAMMA-ALUMINA; PRECURSOR; DIOXIDE; WATER; DIELECTRICS; SURFACE;
机译:通过在Mo电极上进行原子层沉积生长的Al掺杂HfO2和ZrO2薄膜的结构和电性能
机译:通过原子层沉积具有ZnO沟道和HfO2栅极介电层的薄膜晶体管
机译:原子层沉积的ZrO2 sub>和HfO2 sub>薄膜的显微拉曼光谱和X射线衍射研究
机译:由原子层化学气相沉积(ALCVD)生长的超薄高k电介质:ZrO2,HFO2,Y2O3和Al2O3的比较研究。
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:si和Gaas衬底上HfO2薄膜的原子层沉积