机译:内置电场对纤锌矿GaN / AlGaN量子点中氢杂质的影响
Department of Physics, Henan Normal University, Xinxiang 453007, People's Republic of China;
quantum dot; hydrogenic impurity; built-in electric field;
机译:内在场和铝合金含量对纤锌矿GaN / AlGaN量子点中氢杂质的施主结合能的影响
机译:纤锌矿GaN / AlGaN量子阱中的势垒宽度和内置电场对氢杂质的影响
机译:内置电场对应变纤锌矿GaN / AlGaN非对称双量子阱中施主杂质的影响
机译:磁场和内置内部场对应变紫立岩甘油/ Algan量子点中吸收系数的影响
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:电场和磁场对锌共混对称InGaN / GaN多量子点中杂质结合能的影响
机译:纤锌矿型GaN / AlGaN量子阱中压电电场增强的二阶非线性光学磁化率
机译:纤锌矿GaN / alGaN量子阱中压电场增强的二阶非线性光学敏感性