机译:等离子体氧化衍生的HfO_2栅极介电膜的光电性能
Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China;
high-k gate dielectrics; HfO_2 thin films; plasma oxidation; optical properties; interfacial layer;
机译:等离子体氧化衍生的HfO2栅极介电膜的光电性能
机译:Pt OE n〜+ .PGTAL-SILICQN栅的高k栅介电薄膜(HfO_2和Al_2O_3)的电性能比较
机译:使用超薄GeSnO_x膜作为表面钝化层的具有HfO_2栅极电介质的Ge金属氧化物半导体器件的改进电性能
机译:Al_2O_3,HFO_2的物理和电性能及其通过原子层沉积制备的合金薄膜65nm CMOS栅极电介质
机译:溶胶凝胶衍生的铌酸锶钡薄膜:结构,光学和电学性质。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:UV辐射和快速热退火过程引入溶胶 - 凝胶法衍生铁电Sr0.9bi2.1tA1.8NB0.2O9薄膜的结晶和电介质/电学性能