机译:反向步高铟含量Inala变质缓冲液的应变弛豫和表面形态
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China;
molecular beam epitaxy; metamorphic buffer layer; x-ray diffraction; atomic force microscopy;
机译:在INP上的Si掺杂变质inalas分级缓冲器的各向异性应变松弛
机译:变形InAlAs缓冲液中的应变松弛
机译:活性层中InAs含量为76-100%的变质InAlAs / InGaAs纳米异质结构的构造与其表面形貌和电学性质的相互关系
机译:应变松弛层在高铟含量变质InGaAs / InAlAs调制掺杂异质结构中的作用
机译:在铝-铟-锑变质缓冲层上生长的中红外镓-铟-锑/铝-镓-铟-锑MQW激光器。
机译:通过两步冷却工艺在InGaN外延层表面上生长的均匀尺寸的铟量子点
机译:高铟内含量的选择性氧化/ INGAAS变质高电子 - 移动晶体管
机译:应变松弛和表面粗糙度作为线性渐变In(x)al(1-x)as(x = 0.05至0.25)缓冲液中生长温度的函数。