机译:生长后快速热退火对成分梯度InAlAs / InGaAlAs缓冲层上生长的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的影响
机译:具有不带栅极凹槽的液相氧化InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的改进的微波和噪声性能
机译:具有液相氧化的InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管中的击穿电压和冲击电离得到改善
机译:带氧化InAlAs栅极的InAlAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的分析模型和测量
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:GaAs衬底上高掺杂InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的子带电子特性