机译:通过激光背面烧蚀以螺钉形式(VOSF)和层状硒化铟薄膜沉积订购的空位
Environmental Molecular Sciences Laboratory, Pacific Northwest National Laboratory, POB 999, K8-8, Richland, WA 99352, United States;
Environmental Molecular Sciences Laboratory, Pacific Northwest National Laboratory, POB 999, K8-8, Richland, WA 99352, United States;
Dept. of Chemistry, University of Washington, Seattle, WA 98195, United States;
Dept. of Material Science and Engineering, University of Washington, Seattle, WA 98195, United States;
chalcogenides; phase change; LIFT; pulse laser ablation; indium selenide; VOSF;
机译:ps激光脉冲对铜铟硒化物层上氧化锌薄膜的烧蚀研究
机译:ps激光脉冲对铜铟硒化物层上氧化锌薄膜的烧蚀研究
机译:In / Se层状结构激光辐照的硒化铟薄膜
机译:用于固态紧凑型传感器的反应性脉冲激光烧蚀和稀铟锡氧化膜的沉积
机译:铜铟(二)硒化物纳米晶体的形成途径和铜铟(二)硒化物薄膜的溶液沉积用于光伏应用。
机译:用于薄膜晶体管的氧化铟纳米膜的原子层沉积
机译:铟锡氧化物(ITO),二氧化钛(TiO2)薄膜和金(AU)纳米粒子的反应性脉冲激光烧蚀沉积(RPLAD),用于染料敏化太阳能电池(DSSC)应用
机译:使用脉冲激光沉积形成人工分层的薄膜化合物