机译:光电化学刻蚀中不同电解质对多孔GaN的影响
Nano-Optoelectronics Research Laboratory, School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Penang, Malaysia;
Nano-Optoelectronics Research Laboratory, School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Penang, Malaysia;
Material Innovations and Nanoelectronics Research Croup, Faculty of Electrical Engineering, Department of Electronic Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, 81310 Skudai.Johor, Malaysia;
Electrolyte; Can; Photo-electrochemical etching; Porosity;
机译:通过光电化学蚀刻制造GaN悬臂对GaN衬底的制造
机译:采用光电化学技术,电感耦合等离子体反应离子蚀刻诱导的N型GaN的表面损伤深度分析
机译:利用光电化学反应对AlGaN / GaN HEMT进行低损伤刻蚀
机译:光电化学阳极蚀刻蚀刻时间对P型多孔硅纳米结构表面结构性能的影响
机译:光电化学刻蚀制备的柱状多孔碳化硅的形成与表征。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:蚀刻时间对光电化学阳极氧化对p型和n型多孔硅纳米结构表面结构性能的影响