机译:Al摩尔分数对等离子体辅助分子束外延生长Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构的结构和电性能的影响
School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Penang, Malaysia;
Nano-Optoelectronics Research and Technology Laboratory, Universiti Sains Malaysia, 17800 Penang, Malaysia;
Materials Engineering Department, College of Engineering, University of Kufa, Iraq;
Nano-Optoelectronics Research and Technology Laboratory, Universiti Sains Malaysia, 17800 Penang, Malaysia;
Nano-Optoelectronics Research and Technology Laboratory, Universiti Sains Malaysia, 17800 Penang, Malaysia;
Nano-Optoelectronics Research and Technology Laboratory, Universiti Sains Malaysia, 17800 Penang, Malaysia;
机译:等离子体辅助分子束外延生长的GaN / Al_xGa_(1-x)N超晶格中的应变弛豫
机译:等离子体辅助分子束外延在Al_xGa_(1-x)N层上生长的GaN量子点
机译:等离子体辅助分子束外延生长的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的电学性质和DC器件特性的壁垒厚度依赖性
机译:rf等离子体辅助分子束外延生长的v / III焊剂比和基板温度对掺入掺入效率的影响
机译:分子束外延生长的砷化镓锰外延层和异质结构的电输运研究。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:氢对等离子体辅助分子束外延生长的GaN的形貌和电学性能的影响
机译:mBE(分子束外延)-Grown Gaas / sub 1-X / sb / sub X / Inp的电学特性及其与薄膜微结构的相关性