机译:通过SPV测量研究基于臭氧的湿化学氧化后硅衬底的电子界面特性
Helmholtz-Zentrum Berlin far Materialien u. Energie GmbH, Kekulestr.5, 12489 Berlin, Germany;
Technologie Consulting Wolke, Reuteweg 3, 75382 Althengstett, Germany;
MKS ASTex GmbH, Wattstr. 11-13, 13355 Berlin, Germany;
Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2,79110 Freiburg, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin far Materialien u. Energie GmbH, Kekulestr.5, 12489 Berlin, Germany;
MKS ASTex GmbH, Wattstr. 11-13, 13355 Berlin, Germany;
Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2,79110 Freiburg, Germany;
Fraunhofer ISE, Heidenhofstr. 2,79110 Freiburg, Germany;
silicon solar cell substrates; ozone; wet-chemical oxidation; H-termination; surface photovoltage; interface states;
机译:臭氧基湿化学氧化和氢终止后,硅衬底上的表面电荷和界面态密度
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机译:二氧化硅/碳化硅界面的电子性能和可靠性。
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机译:微电子研究硅 - 硅氧化物结构和界面第三季度报告,1月12日。 1964年 - 28日。 1965年