机译:生长温度和沉积时间对InN / YSZ(100)的结构,表面形态和光学性能的影响
National Institute of Research and Development for Optoelectronics, Atomistilor 409, PO Box MG-5, Magurele, Ilfov, 077125 Romania;
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indium nitride; YSZ (100); reactive magnetron sputtering; growth temperature; deposition duration; crystalline structure; surface morphology; band-gap;
机译:镀液温度,沉积时间和S / Cd比对化学镀液制备的CdS薄膜结构,表面形貌,化学组成和光学性能的影响
机译:退火时间对原子层沉积生长ZnO薄膜光学性能和表面形貌的影响
机译:氧化钛纳米粒子的直流磁控溅射沉积:温度,压力和沉积时间对沉积层形貌,润湿性和光学表面性质的影响
机译:生长持续时间过程对SnO_2纳米结构薄膜形态学和电性能的影响
机译:表面处理对钨在硅(100)和多晶氮化钛表面上化学气相沉积的影响
机译:处理温度对YSZ-NiO阳极材料组织和性能的影响
机译:镀液温度,沉积时间和S / Cd比对化学镀液制备的CdS薄膜结构,表面形貌,化学组成和光学性能的影响