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机译:RTA在500℃硅衬底上形成的Ag / NiSi硅化膜晶界散射对电阻率的影响。
Ege University, Faculty of Science, Department of Physics, 35100 Bornova, Izmir, Turkey;
Ege University, Faculty of Science, Department of Physics, 35100 Bornova, Izmir, Turkey;
Ag/NiSi silicide film; Rapid thermal annealing (RTA); Electrical properties; Grain boundary scattering; Reflection coefficient; XRD; SEM; AFM techniques;
机译:RTA法在500℃硅衬底上形成的Ni-Si硅化物膜中晶界散射的温度和厚度依赖性
机译:晶界散射对单层银和双层银/铬薄膜电阻率的影响
机译:团聚和磁边界散射对镍膜电阻率的影响
机译:硅化物层的结晶度和厚度以及衬底取向对硅上NiSi / sub 2 /氧化的影响
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:通过PI-MOCVD在电阻开关应用中将LaMnO3 +δ薄膜集成到镀铂硅基板上
机译:表面粗糙度和晶界散射对薄膜电导率的影响
机译:晶界对多晶硅薄膜电性能的影响。进展报告,1980-1981