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机译:通过插入低温AlN层提高在硅(111)衬底上生长的GaN基HEMT的性能
Natl Cheng Kung Univ, Dept Elect Engn, Inst Microelect, Tainan 701, Taiwan|Natl Cheng Kung Univ, Adv Optoelect Technol Ctr, Tainan 701, Taiwan;
Natl Cheng Kung Univ, Dept Elect Engn, Inst Microelect, Tainan 701, Taiwan|Natl Cheng Kung Univ, Adv Optoelect Technol Ctr, Tainan 701, Taiwan;
Natl Cheng Kung Univ, Dept Elect Engn, Inst Microelect, Tainan 701, Taiwan|Natl Cheng Kung Univ, Adv Optoelect Technol Ctr, Tainan 701, Taiwan|Kun Shan Univ Technol, Dept Elect Engn, Tainan 710, Taiwan;
Natl Cheng Kung Univ, Dept Elect Engn, Inst Microelect, Tainan 701, Taiwan|Natl Cheng Kung Univ, Adv Optoelect Technol Ctr, Tainan 701, Taiwan;
机译:通过使用组合的低温和高温生长的ALN缓冲层在8英寸Si衬底上生长的高性能GaN的发光二极管
机译:通过控制用于GaN成核层生长的反应器压力,可以改善在Si(111)衬底上生长的GaN基发光二极管的性能
机译:通过插入低温AlN中间层减少在Si(111)上生长的GaN中的拉伸应力
机译:使用高温生长单晶ALN缓冲层在蓝宝石基板上制造的GaN的蓝紫光激光二极管室温运行
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT与CMOS在硅(111)衬底上的整体集成的热分析。
机译:用于深度UV-LED应用的图案化Si(111)衬底上生长的AlN晶体质量的性能改善
机译:al-spacer在层结构中对高阻抗性能GaN基HEmT在K波段低电阻率硅上的影响
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层