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机译:非晶Si:C:N:H层的化学成分和带隙
AGH Univ Sci & Technol, Dept Elect, Mickiewicza Av 30, PL-30059 Krakow, Poland;
AGH Univ Sci & Technol, Fac Mat Sci & Ceram, Mickiewicza Av 30, PL-30059 Krakow, Poland;
AGH Univ Sci & Technol, Fac Mat Sci & Ceram, Mickiewicza Av 30, PL-30059 Krakow, Poland;
AGH Univ Sci & Technol, Dept Elect, Mickiewicza Av 30, PL-30059 Krakow, Poland;
AGH Univ Sci & Technol, Fac Mat Sci & Ceram, Mickiewicza Av 30, PL-30059 Krakow, Poland;
Amorphous Si:C:N:H layers; PACVD; Optical constants; Band gap; Spectroscopic ellipsometry;
机译:具有完全化学成分的分层SNSExS2-X合金和用于光电化学水氧化的带空隙
机译:模拟TCO材料的作用,它们对非晶硅层的表面纹理和带隙,对非晶硅薄膜太阳能电池效率
机译:A-Si:H缓冲层在P / I界面的角色和吸收层的带隙分析,用于增强氢化非晶硅锗太阳能电池中的细胞参数
机译:非晶硅碳合金带隙调制结构中单层能级组成和光学间隙分布的表征
机译:通过化学退火制造高质量,低带隙的非晶硅和非晶硅锗合金太阳能电池。
机译:具有可调谐化学成分和带隙的三元SnS2-xSex合金纳米片和纳米片组件用于光电探测器
机译:宽带间隙非晶硅合金的性能作为分级带隙太阳能结构中的钝化层