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机译:通过乙炔的低压化学气相沉积法控制石墨烯的成核和质量
Tohoku Univ, Grad Sch Engn, Dept Nanomech, Sendai, Miyagi 9808579, Japan;
Tohoku Univ, Grad Sch Engn, Dept Nanomech, Sendai, Miyagi 9808579, Japan;
Tohoku Univ, Fracture & Reliabil Res Inst, Sendai, Miyagi 9808579, Japan;
Tohoku Univ, Fracture & Reliabil Res Inst, Sendai, Miyagi 9808579, Japan;
Monolayer graphene; Acetylene; Rapid growth; LPCVD;
机译:对低压化学气相沉积的单层石墨烯的部分压力辅助生长的校正:对高性能石墨烯FET器件的影响“
机译:通过低压化学气相沉积种植单层石墨烯的部分压力辅助生长:对高性能石墨烯FET器件的影响
机译:通过化学气相沉积与成核控制的高质量石墨烯/ MOS2立式异质结构的大面积生长
机译:低压化学气相沉积法在铜箔上可控合成单晶单层石墨烯
机译:冷壁化学气相沉积法在负载型铜催化剂上单层石墨烯的成核和生长
机译:校正单层部分压力辅助生长由低压化学气相沉积种植的石墨烯:含义用于高性能石墨烯FET器件
机译:对低压化学气相沉积的单层石墨烯的部分压力辅助生长的校正:对高性能石墨烯FET器件的影响“