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机译:石墨烯/ ZnO基p-n结器件的制备及其紫外光响应特性
Hanyang Univ, Dept Fus Chem Engn, Ansan 426791, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Fus Chem Engn, Ansan 426791, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Fus Chem Engn, Ansan 426791, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Fus Chem Engn, Ansan 426791, South Korea;
Gyeongsang Natl Univ, Dept Phys, Jinju 660701, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Fus Chem Engn, Ansan 426791, South Korea;
p-Doped graphene; n-Type ZnO; Photoresponse Charge transfer; Work function;
机译:基于过渡金属氧化物的固溶p-n结光电二极管中的可调紫外光响应
机译:DMSO修饰的PEDOT:PSS聚合物/ ZnO纳米棒肖特基结紫外光电探测器:使用N掺杂的石墨烯量子点的光响应,外部量子效率,探测性和响应性增强
机译:水溶液pH对水热生长ZnO纳米棒的结构,光学和光响应性的影响及高性能紫外线传感器的制造
机译:基于倾斜PN结的可重构石墨烯逻辑器件
机译:补偿硅P-N结中的亚带隙光检测和光响应放大。
机译:ZnOAZO和GZO透明半导体薄膜的紫外光响应特性的比较研究
机译:ZnO薄膜基p-n结的制备与表征