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机译:使用分子束外延在电子束光刻上对Si_3N_4 / Si(001)衬底构图的锗生长
Indian Inst Technol Kharagpur, Dept Phys, Kharagpur, W Bengal, India;
Indian Inst Technol Kharagpur, Dept Phys, Kharagpur, W Bengal, India;
Indian Inst Technol Kharagpur, Adv Technol Dev Ctr, Kharagpur, W Bengal, India;
Indian Inst Technol Kharagpur, Dept Phys, Kharagpur, W Bengal, India;
Solid State Phys Lab, Delhi, India;
Solid State Phys Lab, Delhi, India;
Indian Inst Technol Kharagpur, Dept Phys, Kharagpur, W Bengal, India;
Molecular beam epitaxy; Electron beam lithography; Ge nanostructures; Residual stress;
机译:纳米尺度生长中选择性外延的各向异性:通过分子束外延选择性生长在SiO_2图案(001)衬底上的GaAs纳米线
机译:通过分子束外延技术在100nm以下的纳米Si(001)上无光刻的GaAs在Si(001)上的纳米化图案生长
机译:分子束外延中束致横向外延在(001)GaAs衬底上的生长机理
机译:通过在图案化基板上的分子束外延期间通过表面扩散转化GaAs(001) - (111)的平面结构
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:通过分子束外延在MgO(001)衬底上裁剪极性和非极性ZnO平面
机译:GaAs纳米线在非平面(001)和(111)B衬底上生长的选择性分子束外延生长动力学和理论模型
机译:利用高分辨率电子束光刻和分子束外延制作亚50nm手指间距和宽度高速金属半导体金属光电探测器