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机译:基于屏蔽交换局部密度近似理论的Ge_(1-x)Sn_x合金能带结构的第一性原理计算
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems Schoool of Electronics and Information Engineering Tiangong University Tianjin 300387 China;
Ge_(1-x)Sn_x; Band structure; Density functional theory; Composition dependence;
机译:Ge_(1-x)Sn_x半导体的电子能带结构:第一原理密度泛函理论研究
机译:锗-锡(Ge_(1-x)Sn_x)上的锗的高选择性干法蚀刻:Ge_(1-x)Sn_x纳米结构制造的新途径
机译:用光反射光谱研究应变控制的Ge_(1-x)Sn_x合金的直接带隙
机译:Ge_(1-x)Sn_x合金的电子能带结构和有效质量
机译:砷化镓-砷化铝(x)镓(1-x)梯度带隙锯齿超晶格的隧穿计算。
机译:通过高分辨率透射电子显微镜和第一原理计算研究了Al-Mg-Cu合金中沉淀物原子结构的数据
机译:第一性原理在Si / Si_(1_x)Ge_(x)异质结构和Si_(1-x)Ge_(x)合金中与电子有关的热电特性