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机译:脉冲激光沉积复合氧化物薄膜中靶材距离与氧气压力的相关性
Applied Physics Department, CINVESTAV-IPN Merida, 97310 Merida, Yucatan, Mexico;
Ⅱ-Ⅵ semiconductors; laser deposition; plasma-material interactions; boundary layer effects; transport properties; oxidation;
机译:氧气压力和目标衬底距离对脉冲激光沉积YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜表面上颗粒密度的影响
机译:氧气压力,温度和衬底/目标距离对脉冲激光沉积制备的Cu_2Ta_4O_(12)薄膜的影响
机译:飞秒脉冲激光沉积沉积压力和靶-基片距离对ZnO生长的影响
机译:在MgO(100)上以100mm靶衬底距离和低于0.1毫巴的氧气压力激光沉积YBA_2CU_3O_7薄膜
机译:通过脉冲激光沉积生长的功能性复合氧化物薄膜和相关超晶格
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:脉冲激光沉积对掺杂β-(ALXGA1-X)203薄膜生长的影响。通过脉冲激光沉积对C-Sapphire底物薄膜的生长
机译:脉冲激光沉积铁电薄膜与超导氧化物的结合