机译:关于确定和解释金属半导体触点势垒高度的一些评论
Department of Physics, Universitaet Duisburg-Essen, 47048 Duisburg, Germany;
electron states at surfaces and interfaces; surface double layers; schottky barriers; and work functions;
机译:通过金属-半导体触点的有机改性来调整肖特基势垒高度
机译:欧姆接触不均匀:势垒高度和接触面积确定
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机译:Ni-硅化物触点至6H-SIC:接触电阻率和屏障高度在离子植入的n型和屏障高度上对P型癫痫仪
机译:金属-半导体接触的性质:金属-半导体接触中空间变化的能垒的证据。
机译:Ni与金属嵌入纳米粒子接触4H-SiC的取决于金属功函数的势垒高度
机译:金属-半导体触头巴高度的理论计算
机译:用于金属 - 半导体触点的薄膜扩散阻挡层