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机译:掺杂和不掺杂硅的黄铜矿CuGaSe_2薄膜的光致发光研究
School of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1,Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan;
School of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1,Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan,CREST, JST, 4-1-8, Honcho Kawaguchi, Saitama, 332-0012,Japan;
Waseda Institute for Advanced Study, Waseda University, 1-6-1,Nishiwaseda, Shinjuku, Tokyo 169-8050, Japan,CREST, JST, 4-1-8, Honcho Kawaguchi, Saitama, 332-0012,Japan;
School of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1,Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan,CREST, JST, 4-1-8, Honcho Kawaguchi, Saitama, 332-0012,Japan;
机译:通过射频溅射在蓝宝石和硅衬底上生长的未掺杂和Eu掺杂的ZnO薄膜的光致发光特性
机译:溶胶-凝胶浸涂法沉积未掺杂和铈掺杂的SnO_2薄膜的光致发光
机译:CuGaSe_2黄铜矿薄膜和太阳能电池的剥离工艺和背面表征
机译:多晶Cugase_2薄膜的组成依赖性光致发光研究
机译:掺杂和未掺杂的氢化非晶硅薄膜中纳米晶硅夹杂物的影响。
机译:通过浸涂和超声波喷雾热解方法沉积的未掺杂和镍掺杂的氧化锌薄膜用于丙烷和一氧化碳传感应用
机译:采用RF磁控溅射法制造的N掺杂和未掺杂的P型ZnO薄膜的光致发光分析