机译:GaN半导体上的Al2O3栅极绝缘膜的固相外延导致导带不连续性显着增加
Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
机译:GaN半导体上的Al_2O_3栅绝缘膜的固相外延导致导带不连续性显着增加
机译:通过臭氧预处理并将臭氧氧化剂用于Al2O3栅极绝缘体实现的高导通/截止电流比超过5 x 10(10)的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管
机译:具有不同栅极凹槽深度的Al2O3 / GaN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的特性*
机译:Aaphire上AIN薄膜的固相外延再结晶(0001):GAN外延的新型衬底方法
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:Al2O3(0001)衬底的解离以及硅和氧在气源分子束外延生长的N型Gan薄膜中的作用
机译:种子凝固外延生长在绝缘子上的单晶硅薄膜生长