机译:TiN / La2O3 / HfSiON / SiO2 / Si高k层中镧扩散的评估和建模
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, F-38926 Crolles, France;
机译:TiN / La_2O_3 / HfSiON / SiO_2 / Si高k层中镧扩散的评估和建模
机译:适用于低压工作柔性晶体管的光活化的高k镧氧化铝 - 氧化铝(La2O3-Al2O3)合金型栅极电介质
机译:金属栅/高k / SiO2 / Si堆叠MOSFET的二维阈值电压分析模型
机译:HfSiON / SiO2介电堆栈中的TDDB:基于Büttiker探针的NEGF建模,预测和实验
机译:反向扩散和生物降解对MTBE / TBA羽流的影响以及乙醇掺混生物燃料泄漏对地下水的影响:田间试验评估模型的开发及其意义。
机译:纤维球成像评估基于峰度的扩散MRI组织模型的白色问题。
机译:锡/ SiO2界面扩散和掺入间质氧离子的建模
机译:进一步评估扩散模型表征几种常规防污涂料的浸出性能。