...
首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Strain relaxation in epitaxial SrRuO3 thin films on LaAlO3 substrates
【24h】

Strain relaxation in epitaxial SrRuO3 thin films on LaAlO3 substrates

机译:LaAlO3衬底上外延SrRuO3薄膜的应变弛豫

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Strain relaxation behavior of epitaxial SrRuO3 thin films on (001) LaAlO3 substrates was investigated using high resolution X-ray diffraction. Lattice distortion and dislocation densities were systematically studied with samples under different growth conditions. Reciprocal space maps reveal different strain relaxation behavior in SrRuO3 thin films grown at different temperatures. Two kinds of strain relaxation mechanisms were proposed to understand the growth dynamics, including the evolution of threading dislocations and the tilt of crystalline planes.
机译:利用高分辨率X射线衍射研究了外延SrRuO 3 薄膜在(001)LaAlO 3 衬底上的应变弛豫行为。系统地研究了不同生长条件下样品的晶格畸变和位错密度。相互的空间图揭示了在不同温度下生长的SrRuO 3 薄膜具有不同的应变松弛行为。提出了两种应变松弛机制来理解生长动力学,包括螺纹位错的演化和晶面的倾斜。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2013年第14期|1-4|共4页
  • 作者

    Gao M.; Du H.; Ma C.R.; Liu M.;

  • 作者单位

    State Key Laboratory of Electronic Thin films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, People's Republic of China|c|;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号