...
机译:ZrO2的原子层沉积作为硅上的AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的栅极电介质
Novitas, Nanoelectronics Center of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore|c|;
机译:通过原子层沉积沉积ZrO2栅极电介质的增强模式AlGaN / GaN MOS高电子迁移率晶体管
机译:ZrO_2的原子层沉积作为硅上的AIGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的栅极电介质
机译:具有热原子层沉积AIN栅极电介质的AIN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管
机译:使用原子层沉积的ZrO2作为栅极电介质的硅上的AlGaN / GaN MISHEMT
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积