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机译:InNAsSb层的光致发光的温度依赖性:局部和自由载流子发射在确定能隙温度依赖性中的作用
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland;
Fourier transform spectra; III-V semiconductors; arsenic compounds; energy gap; indium compounds; infrared spectra; narrow band gap semiconductors; nitrogen compounds; photoluminescence; semiconductor epitaxial layers; 7120Nr; 7830Fs; 7855Cr; 7866Fd;
机译:InNAsSb层的光致发光的温度依赖性:局部和自由载流子发射在确定能隙温度依赖性中的作用
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