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机译:GaNAsP:通过气源分子束外延生长的中带半导体
Department of Physics, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA;
III-V semiconductors; Rutherford backscattering; arsenic compounds; energy gap; gallium compounds; molecular beam epitaxial growth; nitrogen compounds; photoluminescence; semiconductor thin films; solar cells; valence bands; 6855ag; 7855Cr; 8115Hi; 8840jm;
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