机译:VO
IBS-CFICES, Seoul National University, Seoul 151-747, South Korea;
dielectric thin films; metal-insulator transition; vanadium compounds; 7130+h; 7755-g;
机译:VO_2薄膜阈值转换现象中转换电压变化的成因
机译:在0.72Pb(Mg
机译:PbZr
机译:基于VO
机译:formin INF2的剪接变异特异性细胞和生化功能
机译:旋涂CoFe2O4薄膜的形成过程和单极电阻切换的设定电压分布的调节
机译:CoFe