机译:(In,Ga)N / GaN外延层中应变和成分变化的空间分辨研究
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5–7, 10117 Berlin, Germany;
III-V semiconductors; MOCVD; X-ray chemical analysis; X-ray diffraction; cathodoluminescence; gallium compounds; indium compounds; semiconductor epitaxial layers; wide band gap semiconductors; 6855ag; 7860Hk; 8115Gh; 8115Kk;
机译:(In,Ga)N / GaN外延层中应变和成分变化的空间分辨研究
机译:使用空间分辨的偏振和波长依赖拉曼光谱对沿间隙/ Si(111)深度的锌 - 混合阶段的应变变化起源的研究
机译:A平面蓝宝石上生长的GaN外延层和GaN-AlGaN量子阱的连续波和时间分辨光谱
机译:ALN缓冲层菌株对3 in 6H-SiC衬底生长的GaN癫痫菌株的影响
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:对空间中应变和成分变化的空间分辨研究 (In,Ga)N / GaN外延层
机译:组分梯度In(x)Ga(1-x)as / Gaas(001)异质结构应变微米级空间变化的研究