机译:GaAs / InAs核壳纳米线的轴向应变
Universität Siegen, Festkörperphysik, 57068 Siegen, Germany;
III-V semiconductors; X-ray diffraction; deformation; dislocation density; gallium arsenide; indium compounds; lattice constants; molecular beam epitaxial growth; nanofabrication; nanowires; semiconductor growth; semiconductor heterojunctions; 6146Km; 6220F-; 8105Ea; 8107Gf; 8115Hi; 8140Lm;
机译:GaAs / InAs和InAs / GaAs轴向纳米线异质结构中异质界面的性质
机译:GaAs / In As核壳纳米线的轴向应变
机译:GaAs / InAs核壳纳米线的分子束外延生长及InAs纳米管的制备
机译:分子束外延生长的GaAs / InAs核壳纳米线中的载流子传输
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:InAs / GaSb和GaSb / InAs核-壳纳米线的能带反转间隙
机译:GaAs / InAs核壳纳米线的轴向应变
机译:用分子束外延生长Gaas / Gaassb核壳纳米线的带隙调谐。