机译:具有高阈值电压的高成分AlGaN沟道高电子迁移率晶体管的建模
Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA;
机译:具有高阈值电压的高成分AlGaN沟道高电子迁移率晶体管的建模
机译:AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管基于物理的阈值电压模型
机译:多台面沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的漏极电流稳定性和阈值电压和亚阈值电流的可控性
机译:新的离子与log(Ig)图的开发,以表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的动态性能仿真
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:alGaN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的界面态/边界陷阱与阈值电压漂移的相关性