机译:Au和Pd接触MoS
Center of Excellence in Nanoelectronics, Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India;
机译:<![CDATA [CDATA [电化学硫化物钝化对AU / N-HG
机译:GA
机译:Au和Pd接触MoS_2的肖特基势垒高度
机译:Au /取向ZnO纳米棒阵列/M
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:硼铝双重注入与微波退火相结合对NiSi / Si接触处肖特基势垒高度的调节
机译:阻挡层高度对ZnO肖特基接触温度的依赖性