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机译:在SiO2和HfO2电介质上形成Ta / TaN和Ti / TaN合金金属电极中氮行为的研究
CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
机译:SiO_2和HfO_2介电体上形成Ta / TaN和Ti / TaN合金电极的氮行为研究
机译:SiO_2和[HfO_2 / SiO_2]电介质叠层上的[TaN / TaSiN]和[TaN / TaCN]金属叠层的内部光发射光谱
机译:用ALD TaN / EP-Cu,PVD Ta和PVD TaN电极替代金属栅极NMOSFET
机译:具有高质量超薄CVD ZrO / sub 2 /栅极电介质和自对准TaN和TaN / poly-Si栅电极的MOS器件
机译:氮与水文循环之间的相互作用:LM3-TAN模型对河流氮对气候和土地利用的响应的意义
机译:粉末冶金和铸锭Ti-5Al-5Mo-5V-3Cr合金热变形过程中的开裂行为比较