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Electronic properties of two-dimensional hexagonal germanium

机译:二维六角形锗的电子性质

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摘要

The electronic properties of two-dimensional hexagonal germanium, so called germanene, areninvestigated using first-principles simulations. Consistent with previous reports, the surface isnpredicted to have a “poor” metallic behavior, i.e., being metallic with a low density of states at thenFermi level. It is found that biaxial compressively strained germanene is a gapless semiconductornwith linear energy dispersions near the K points—like graphene. The calculated Fermi velocity ofngermanene is almost independent of the strain and is about 1.7u0001106nm/ s, quite comparable to thenvalue in graphene. © 2010 American Institute of Physics. u0003doi:10.1063/1.3332588
机译:二维六方锗的电子性质,即所谓的锗烯,未使用第一性原理进行研究。与先前的报道一致,预测该表面具有“不良”的金属性能,即,在当时的费米能级下具有低状态密度的金属。发现双轴压缩应变锗烯是一种无间隙的半导体,在K点附近具有线性能量分散,就像石墨烯一样。算得的锗烯费米速度几乎与应变无关,约为1.7u0001106nm / s,与石墨烯中的值相当。 ©2010美国物理研究所。 u0003doi:10.1063 / 1.3332588

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2010年第8期|p.1-3|共3页
  • 作者单位

    Department of Physics and Astronomy, Semiconductor Physics Laboratory, University of Leuven,Celestijnenlaan 200 D, B-3001 Leuven, Belgium 2IMEC, 75 Kapeldreef, B-3001 Leuven, Belgium;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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