机译:通过展开DFT带结构评估的AL_XGA_(1-x)n的高电子迁移率
Applied Physics Program University of Michigan Ann Arbor Michigan 48109 USA Department of Materials Science and Engineering University of Michigan Ann Arbor Michigan 48109 USA;
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机译:拟晶Al_xGa_(1-x)/ GaN高电子迁移率晶体管结构中的带隙弯曲参数
机译:阶跃量子阱中调制掺杂的Al_xGa_(1-x)As / In_yGa_(1-y)As / Al_xGa_(1-x)中的原子排列,电子参数和电子结构
机译:Al_xGa_(1-x)As和Al_xGa_(1-x)P的VCA带结构的无序校正的自洽计算
机译:在GaAs / Al_xga_(1-x)中的电子中的和跨空间散射的结构效应,如/ gaas量子阱的in_xga_(1-x)和应变
机译:金属表面上的AB(2)X(2)相和C(1)FISCHER-TROPSCH中间物:理论研究(能带结构,电子,移动性,键合,导电性)。
机译:通过DFT计算研究的Cu-掺杂的KCL展开带结构和光学性质
机译:Si $ _ {1-x} $ GE $ _X $,SI $ _ {1-x} $ SN $ _ $和GE $ _ {1-x} $ SN $ _ $ $半导体合金